[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610165662.X | 申请日： | 2004-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1967869A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 堀田幸司;河路佐智子;杉山隆英;庄司智幸;石子雅康 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L23/58;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件及制造方法，是防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域(M)，和已形成了把该中心区域围起来的保护环(38)组的周边区域N的半导体器件，在最外周上形成的半导体开关元件的体区域(34)，和在最内周形成的保护环(38)重叠起来地形成，已连接到半导体开关元件组的栅电极(35)上的栅布线(48)中间存在着绝缘层(46)地与体区域(34)和保护环(38的重叠区域(39)对向，上述重叠区域(39)的宽度，是体区域(34)与保护环(38中的深的一方的深度的1/3以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具有形成了半导体开关元件组的中心区域，和形成了把该中心区域围起来的保护环组的周边区域，其特征在于：在最外周上形成的半导体开关元件的体区域，和在最内周形成的保护环重叠地形成，连接到半导体开关元件组的栅电极上的栅布线，中间存在着绝缘层地与体区域和保护环的重叠区域对向，在给栅布线施加上栅导通电压时的栅布线正下方的重叠区域的电阻率在20Ω·cm以下。
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