[发明专利]具有绝热衬垫的薄膜保险丝相变化单元及其制造方法有效
申请号: | 200610165918.7 | 申请日: | 2006-12-11 |
公开(公告)号: | CN101013716A | 公开(公告)日: | 2007-08-08 |
发明(设计)人: | 龙翔澜 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L45/00;H01L21/82 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 韩宏 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种存储器件,其包括:第一电极,该第一电极具有顶侧;第二电极,该第二电极具有顶侧;以及位于第一与第二电极之间的绝缘构件。绝缘构件在第一与第二电极之间、接近第一电极的顶侧处与第二电极的顶侧处具有一厚度,并从第一与第二电极的顶侧向外延伸,限定具有顶侧的绝缘材料侧壁。存储材料导桥横跨侧壁顶侧的绝缘构件,并在第一与第二电极间、横跨绝缘构件处限定一电极间路径。本发明还提供了这种存储单元的阵列。此导桥在侧壁的顶侧上包括存储材料活性层,其具有至少二固态相,以及于存储材料之上的一层热绝缘材料,其导热性低于第一与第二电极的导热性。 | ||
搜索关键词: | 具有 绝热 衬垫 薄膜 保险丝 相变 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种存储元件,包括:衬底;位于该衬底上的电极层,该电极层包括电极对阵列,该电极对包括具有一上表面的第一电极、具有一上表面的第二电极、以及位于该第一电极与该第二电极之间并从该第一与第二电极的该上表面向外延伸的绝缘构件,而限定绝缘材料侧壁,其具有顶侧;以及阵列的导桥横跨相对应电极对的该绝缘构件之上,该导桥具有第一面与第二面、并以该第一面与相对应电极对中的该第一与第二电极的该上表面接触,其中该导桥分别包括存储材料活性层在该侧壁的该顶侧,该存储材料具有至少二固态相。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的