[发明专利]使用了高阻抗磁铁的MRI装置无效
| 申请号： | 200610165927.6 | 申请日： | 2006-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1985760A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 小室又洋;佐通祐一;今川尊雄;石川胜美;板桥武之 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | A61B5/055 | 分类号： | A61B5/055;G01R33/48;G01R33/383 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 发生于MRI装置的磁路周边的涡流是理想的磁场梯度波形偏离产生的原因之一，成为图像畸变、强度损失、重影发生及信号损失、光谱畸变的原因。以抑制涡流的发生为课题。解决手段是采用以如下为特性的MRI装置的结构：在以含有铁或钴的母相为主的显示强磁性的粉末的表面的一部分或全部，沿着该表面的一部分层状形成比母相阻抗高10倍以上、且维氏硬度比母相小的高阻抗层，将成形了所述粉末的强磁性体使用于磁路的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 阻抗 磁铁 mri 装置 | ||
【主权项】：
1.一种MRI装置，其特征在于，在以含有铁或钴的母相为主的显示强磁性的粉末的表面的一部分或全部，沿着该表面的一部分层状地形成有比母相阻抗高10倍以上、且维氏硬度比母相小的高阻抗层，将成形了所述粉末的强磁性体使用于磁路的一部分。
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