[发明专利]氮化物半导体装置无效
| 申请号： | 200610165929.5 | 申请日： | 2006-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101009324A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 上野弘明;柳原学;上田哲三;上本康裕;田中毅;上田大助 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化物半导体装置，此氮化物半导体装置中，在保证常非导通型的同时，且能够提高工作电流。氮化物半导体装置，包括：在由蓝宝石构成的衬底(101)上顺次形成的，分别由氮化物半导体构成的缓冲层(102)、基层(103)、第一半导体层(104)、第二半导体层(105)和控制层(106)以及接触层(107)。还有，在第二半导体层(105)上的控制层(106)两侧的区域，形成了分别由钛及铝构成的源极电极(108)及漏极电极(109)，另外在接触层(107)上形成了由镍构成的栅极电极(110)。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体装置，其特征在于：包括：第一半导体层，是由第一氮化物半导体构成；第二半导体层，是在上述的第一半导体层的主面上形成的，由带隙比上述的第一氮化物半导体还要宽的第二氮化物半导体构成；控制层，是在上述的第二半导体层的上部或者上侧有选择性地形成的，由具有p型导电性的第三氮化物半导体构成；源极电极及漏极电极，是在上述的第二半导体层上，且在上述的控制层两侧的区域中分别形成的；栅极电极，是在上述的控制层的上侧形成的；第四半导体层，是在和上述的第一半导体层的上述主面相反的面上形成的，由相对于上述的第一氮化物半导体来说在价电子带上具有电位势垒，且组成中含有铝的第四氮化物半导体构成。
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