[发明专利]采用缺氧金属氧化物层的非易失性存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200610165950.5 | 申请日： | 2006-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101075629A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 赵成逸;赵重来;李殷洪;柳寅儆 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L21/82;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使用缺氧金属氧化物层的非易失性存储装置和一种所述非易失性存储装置的制造方法，其特征在于：所述非易失性存储装置具有开关装置和连接到开关装置的存储节点，其中存储节点包括下电极、在下电极上形成的缺氧金属氧化物层、在缺氧金属氧化物层上形成的数据存储层、和在数据存储层上形成的上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 缺氧 金属 氧化物 非易失性 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储装置，具有开关装置和连接到所述开关装置的存储节点，其中所述存储节点包括：下电极；在所述下电极上形成的缺氧金属氧化物层；在所述缺氧金属氧化物层上形成的数据存储层；和在所述数据存储层上形成的上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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