[发明专利]一种硅的提纯方法无效
| 申请号： | 200610166374.6 | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1994878A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 杨贻方 | 申请（专利权）人： | 杨贻方 |
| 主分类号： | C01B33/039 | 分类号： | C01B33/039 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215200江苏省吴江市吴江经济*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高纯硅的提炼方法，为解决目前硅提纯过程中消耗电力巨大，产量都有很大限制，而且生产成本居高不下的问题，本发明采用陶瓷窑内使用氩气密封的钨炉熔融高纯二氧化硅进行初步提纯，再采用高温氢气化合后得到硅烷再次采用临界液化方式再次提纯，然后进行还原得到高纯硅，这样就可以使高纯度硅的生产成本大幅度降低，适合太阳能发电及半导体工业。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提纯 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高纯硅的提炼方法，其特征是采用密封的钨炉中将高纯二氧化硅和焦炭在电炉中强热制得碳化硅，然后再与高温氢气化合后得到甲硅烷，再次采用临界液化和碱洗方式再次提纯，然后进行高温裂解得到高纯硅。
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