[发明专利]用于减少缺陷的改进型碳束沉积室

摘要

本发明公开了一种改进的碳束沉积室，其显著减少了在室的开孔挡板的外表面上的碳膜的聚积，从而显著增加了可在需要系统清洁或硬件替换之前处理的盘的数量，从而显著减少了覆膜盘的盘失效并显著增加了碳枪的生产率。

主权项

1.一种用于在基底上进行离子束沉积的改进装置，所述装置包括：壳体，其具有内部空间，构造成保持用于离子束沉积的沉积室；供电装置，用于在所述室中产生等离子流；开孔挡板，其设置在壳体中离子沉积室的前方；开孔挡板中的环形开口；束准直装置，其设置在环形开口中，用以在所述改进装置的覆膜循环过程中引导受控等离子流向基底施加覆膜；以及密封装置，其可与开孔挡板接合；所述改进包括：具有减小表面积的开孔挡板，以减少覆膜循环过程中在开孔挡板上的等离子沉积，从而最小化在装置的清洁循环过程中装置上未经过清洁的区域上的碳膜的沉积，其中，与等离子材料反应的气体被引入壳体的内部，以使得能够去除沉积在壳体内部空间中的等离子材料。