[发明专利]电流垂直平面磁致电阻传感器无效
| 申请号： | 200610166778.5 | 申请日： | 2006-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1983659A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·M·弗赖塔格;何国山;穆斯塔法·M·皮纳巴西;曾庆骅 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11B5/39;G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁致电阻传感器，其具有堆叠内偏置结构和带有形状增强各向异性的被钉扎层。该传感器可以是部分研磨设计，其中所述传感器的道宽由自由层的宽度定义且被钉扎层延伸超过传感器的道宽。该传感器具有自由层的条高定义的有源区。被钉扎层延伸超过自由层定义的该条高，因而向被钉扎层提供形状增强各向异性。该被钉扎层结构可通过与反铁磁材料层(AFM层)的交换耦合而被钉扎，钉扎稳定性通过形状增强各向异性而改善，或者可以是自钉扎结构，其通过磁致伸缩、AP耦合和形状增强各向异性的结合而被钉扎。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 垂直 平面 致电 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种具有气垫面(ABS)的磁致电阻传感器，该磁致电阻传感器包括：磁自由层，延伸至从所述ABS测量的第一条高距离；磁被钉扎层结构，延伸至从所述ABS测量的比所述第一条高距离大的第二条高距离；第一非磁导电间隔层，夹在所述自由层与所述被钉扎层之间；以及堆叠内偏置结构，与所述第一非磁导电间隔层相对地、与所述磁自由层相邻地形成。
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