[发明专利]磁记录介质无效
| 申请号： | 200610166906.6 | 申请日： | 2006-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101046982A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 孔硕贤;林志庆;吴薰翔;李厚山;尹成龙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/667;G11B5/70 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁记录介质。该磁记录介质包括：衬底；垂直磁记录层，形成在该衬底之上；第一软磁衬层，设置在该垂直磁记录层与该衬底之间；第二软磁衬层，设置在该第一软磁衬层与该垂直磁记录层之间；以及隔离层，设置在该第一软磁衬层与该第二磁层之间且阻止该第一软磁衬层和该第二软磁衬层之间的磁相互作用，其中该第二软磁衬层的各向异性场Hk大于该第一软磁衬层的各向异性场Hk。为了增大第二软磁衬层的各向异性场，该第二软磁衬层可具有反铁磁耦合结构。信噪比(SNR)和记录密度可通过分流软磁衬层的磁畴壁产生的磁场且防止磁场到达磁头而显著增大。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种垂直磁记录介质，包括：衬底；垂直磁记录层，形成在该衬底之上；第一软磁衬层，设置在该垂直磁记录层与该衬底之间；第二软磁衬层，设置在该第一软磁衬层与该垂直磁记录层之间；以及隔离层，设置在该第一软磁衬层与该第二磁层之间且阻止该第一软磁衬层和该第二软磁衬层之间的磁相互作用，其中该第二软磁衬层的各向异性场Hk大于该第一软磁衬层的各向异性场Hk。
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