[发明专利]组合存储单元

摘要

一种组合存储单元，包括静态随机存取存储单元及掩膜式只读存储编码器，静态随机存取存储单元包括第一与第二反相器，第一反相器包括第一P型金属氧化物半导体晶体管与第一N型金属氧化物半导体晶体管，第二反相器包括一第二P型金属氧化物半导体晶体管与一第二N型金属氧化物半导体晶体管，掩膜式只读存储编码器与该第一与第二P型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接或与该第一与第二N型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接，并决定存储单元为随机存取存储模式或只读存储模式。

主权项

1.一种组合存储单元，有一随机存取存储模式与一只读存储模式，并有第一与第二逻辑状态，其中，第一逻辑状态的电平高于第二逻辑状态的电平，该存储单元包括：一静态随机存取存储单元，包括：一第一反相器，包括一第一P型金属氧化物半导体晶体管与一第一N型金属氧化物半导体晶体管，且该第一P型金属氧化物半导体晶体管与该第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅极共同连接至一第一输入节点，该第一P型金属氧化物半导体晶体管与该第一N型金属氧化物半导体晶体管的漏极共同连接至一第一输出节点；以及一第二反相器，包括一第二P型金属氧化物半导体晶体管与一第二N型金属氧化物半导体晶体管，且该第二P型金属氧化物半导体晶体管与该第二N型金属氧化物半导体晶体管的栅极共同连接至一第二输入节点，该第二P型金属氧化物半导体晶体管与该第二N型金属氧化物半导体晶体管的漏极共同连接至一第二输出节点；其中，该第一输入节点与该第二输出节点耦接，且该第一输出节点与该第二输入节点耦接；以及一掩膜式只读存储编码器，与该第一与第二P型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接或与该第一与第二N型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接，并决定该存储单元为该随机存取存储模式或该只读存储模式。