[发明专利]晶体管用外延晶片及晶体管有效
| 申请号： | 200610167018.6 | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1983627A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 守谷美彦 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/737 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明研究的目的是降低n型InGaAs非合金层的电阻。在半绝缘性GaAs衬底(1)上，顺次形成n型次集电极层(2)、n型集电极层(3)、p型基极层(4)、n型发射极层(5)和n型InGaAs非合金层(10)，n型InGaAs非合金层10由In组分不均匀n型InGaAs渐变层(10a)(不均匀组分层)和其上的In组分均匀的n型InGaAs均匀组分层(9)所构成。渐变层(10a)由In组分低的第一渐变层(7)(第一层)和In组分高于第一层的第二渐变层(8)构成，第一渐变层(7)中，为了抑制该In组分的C(碳)的背景浓度，且为了在掺杂Se作为n型掺杂剂时得到更高的载流子浓度，而掺杂了Si。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 管用 外延 晶片 晶体管 | ||
【主权项】：
1.晶体管用外延晶片，其特征为，具有：衬底；在所述衬底上顺次形成的n型集电极层、p型基极层及n型发射极层；以及，n型InGaAs非合金层，所述n型InGaAs非合金层由In组分不均匀的n型InGaAs不均匀组分层和设置在所述n型InGaAs不均匀组分层之上的、In组分均匀的n型InGaAs均匀组分层构成，所述In组分不均匀的n型InGaAs不均匀组分层设置在所述发射极层之上；所述n型InGaAs不均匀组分层是由掺杂了Si的In组分低的第一层，和在所述第一层之上设置的掺杂了Si以外的n型掺杂剂且In组分比第一层高的第二层构成。
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