[发明专利]透明导电膜制造用烧结体靶及使用其制造的透明导电膜有效
| 申请号： | 200610167476.X | 申请日： | 2006-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101024874A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 中山德行;阿部能之 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34;C23C14/46;H01B5/14 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的透明导电膜制造用烧结体靶主要由Ga、In和O形成，相对全部金属原子含有49.1原子％以上65原子％以下的Ga，主要由β－GaInO3相和In2O3相构成，In2O3相(400)/β－GaInO3相(111)X射线衍射峰强度比为45％以下，并且密度在5.8g/cm3以上。使用溅射法得到的透明导电膜为主要由Ga、In和O形成的非晶质氧化物膜透明导电膜，相对全部金属原子含有49.1原子％以上65原子％以下的Ga，功函数在5.1eV以上，波长633nm下的折射率在1.65以上1.85以下。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 制造 烧结 使用 | ||
【主权项】：
1.一种透明导电膜制造用烧结体靶，其特征在于，主要由Ga、In和O形成，相对全部金属原子含有49.1原子％以上65原子％以下的Ga，主要由β-Ga2O3型结构的GaInO3相和方铁锰矿型结构的In2O3相构成，并且以下式定义的X射线衍射峰强度比为45％以下，密度在5.8g/cm3以上。In2O3相(400)/β-GaInO3相(111)×100[％]
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