[发明专利]有机金属组合物无效
申请号: | 200610167560.1 | 申请日: | 2006-12-18 |
公开(公告)号: | CN1986877A | 公开(公告)日: | 2007-06-27 |
发明(设计)人: | D·V·舍奈-卡特克哈特;E·沃尔克 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
主分类号: | C23C16/30 | 分类号: | C23C16/30;C23C16/448 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 沙永生 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供了适合用作含锗膜的气相沉积前体的包含锗化合物的组合物。还提供了使用所述组合物沉积含锗膜的方法。这些含锗膜可特别有效地用来制造电子器件。 | ||
搜索关键词: | 有机 金属 组合 | ||
【主权项】:
1.一种在基片上沉积含锗膜的方法,该方法包括以下步骤:a)将气相形式的锗化合物以及选自气相改性剂和表面改性剂的添加剂化合物传输到包含有所述基片的沉积室,所述锗化合物的化学式为GeA4,式中各A独立地选自氢、卤素、烷基、烯基、炔基、芳基、氨基、二烷基氨基和二烷基氨基烷基,所述添加剂不含锗;b)使所述锗化合物在沉积室内分解;c)在所述基片上沉积含锗膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的