[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610168026.2 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101097965A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 崔殷硕 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种具有多晶硅氧化物氮化物氧化物半导体(SONOS)结构的非易失性存储器及其制造方法，其中电荷捕获层在水平方向上被物理分隔。朝向源极和漏极捕获电荷的电荷捕获层被物理分离。这基本上可以防止两侧的电荷相互移动。因此，尽管单元尺寸减小，还是可以防止两侧电荷之间的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包含：栅极，其中分别在半导体衬底上方形成栅极绝缘层、电荷捕获层、阻挡氧化物层和栅极电极，其中所述电荷捕获层被缓冲层物理分离。
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