[发明专利]互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610168097.2 | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1996605A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 崔梁圭;金局奂 | 申请（专利权）人： | 韩国科学技术院 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京慧泉知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王顺荣;唐爱华 |
| 地址： | 韩国大田广域市*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种互补金属氧化物半导体(简称CMOS)图像传感器及其制造方法。该图像传感器其结构包括：光接收元件，光接收元件上部末端制成的纳米柱；制造该CMOS图像传感器的方法，其步骤如下：诱导出等离子发射，进而在光接收区域形成纳米颗粒，以纳米颗粒作为掩膜蚀刻光接收区域，然后去除纳米颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于：其结构包括光接收元件、光接收元件上部末端制成的纳米柱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韩国科学技术院，未经韩国科学技术院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610168097.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：改善涂布层均匀质量的工艺方法
- 下一篇：一种砼填充用空腔模壳构件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
