[发明专利]环路低通滤波器无效
| 申请号： | 200610168302.5 | 申请日： | 2006-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1976233A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 张家川;赵纲;程宝洪 | 申请（专利权）人： | 北京中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03L7/093 | 分类号： | H03L7/093;H03L7/081;H03H11/04 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 宋志强;麻海明 |
| 地址： | 100083北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种环路低通滤波器，包括：电阻、第一薄栅耗尽型NMOS管、第二薄栅耗尽型NMOS管和电平移位器，其中，第一NMOS管、第二NMOS管的源极、漏极和衬底都与电平移位器的输出端相接；电平移位器，用于输出大于0的电压信号。本发明通过将环路低通滤波器中的薄栅增强型NMOS管替换为薄栅耗尽型NMOS管，并将两耗尽型NMOS管的源极、漏极、衬底接在一个大于0的电压上，在不增加电路面积的前提下，大大减少了耗尽型NMOS管的栅极漏电流，提高了VCO控制电压的稳定性，从而较少了PLL电路锁定工作时的抖动。 | ||
| 搜索关键词： | 环路 滤波器 | ||
【主权项】：
1、一种环路低通滤波器，包括：电阻、第一NMOS管、第二NMOS管，其特征在于，还包括：电平移位器，且所述第一NMOS管和第二NMOS管为薄栅耗尽型MOS管，其中：第一NMOS管、第二NMOS管的源极、漏极和衬底都与电平移位器的输出端相接；电平移位器，用于输出大于0的电压信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中星微电子有限公司，未经北京中星微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610168302.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
