[发明专利]制作应变硅互补式金属氧化物半导体晶体管的方法

摘要

首先提供一半导体基底，该半导体基底具有一第一有源区域用以制备一第一晶体管以及一第二有源区域用以制备一第二晶体管。然后形成一第一栅极结构于该第一有源区域上、一第二栅极结构于该第二有源区域上以及一第一间隙壁于各栅极结构上，接着形成该第一晶体管与该第二晶体管的源极与漏极区域。随后移除该第一栅极结构与该第二栅极结构周围的第一间隙壁、覆盖一遮盖层于该第一晶体管及该第二晶体管表面以及去除该第二晶体管表面的该遮盖层。然后各形成一凹槽于该第二晶体管的栅极结构上及周围，接着于该凹槽内分别形成一外延层。

主权项

1.一种制作应变硅互补式金属氧化物半导体晶体管的方法，该方法包括下列步骤：提供半导体基底，该半导体基底具有第一有源区域用以制备第一晶体管、至少一第二有源区域用以制备第二晶体管、以及绝缘结构设于该第一有源区域与该第二有源区域之间；形成至少一第一栅极结构于该第一有源区域上与至少一第二栅极结构于该第二有源区域上；分别形成第一间隙壁于该第一栅极结构与该第二栅极结构周围；分别形成该第一晶体管的源极与漏极区域与该第二晶体管的源极与漏极区域；移除该第一栅极结构与该第二栅极结构周围的第一间隙壁；覆盖遮盖层于该第一晶体管及该第二晶体管表面；去除该第二晶体管表面的该遮盖层；进行蚀刻工艺，以于该第二栅极结构上及周围的半导体基底中各形成凹槽；进行选择性外延生长工艺，以于各该凹槽内分别形成外延层；以及去除该第一晶体管表面的该遮盖层。