[发明专利]液晶显示器的像素阵列结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200610168524.7 | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1975543A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 郑逸圣 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/133;G02F1/1362;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种液晶显示器的像素阵列结构及其制造方法，使用五道掩模即可完成整个像素阵列的制造。在此像素阵列结构中，栅介电层的沉积步骤分为两次完成，以增加储存电容器的储存电容量。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶显示器 像素 阵列 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种液晶显示器的像素阵列结构的制造方法，该制造方法包括：形成一硅岛于一基板的一主动元件区上；形成一第一栅介电层于该基板上；形成至少一数据线与至少一第一电极于该第一栅介电层之上，该数据线位于该主动元件区外侧，且该第一电极位于该基板的一电容区上；形成一第二栅介电层于该第一栅介电层、该数据线与该第一电极之上；形成至少一栅极与至少一第二电极于该第二栅介电层之上，其中该栅极位在该硅岛中央之上方，该第二电极位在该第一电极之上方；以该栅极为掩模来掺杂该硅岛，以在该栅极下方两侧的该硅岛中分别形成一源极与一漏极；形成一介电层于该第二栅介电层、该栅极与该第二电极之上；形成一透明导电层于该介电层之上；图案化该透明导电层与该介电层，形成复数个开口于该透明导电层与该介电层之中，以分别暴露出该数据线、该源极、该漏极与该第一电极的表面；形成一第三金属层于该些开口之中与该透明导电层之上；以及图案化该第三金属层与该透明导电层，以分别形成至少一像素电极、该源极与该数据线间的一第一导线以及该漏极与该第一电极间的一第二导线。
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