[发明专利]具有场效应源区/漏区的半导体器件有效
| 申请号： | 200610168629.2 | 申请日： | 2006-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1988178A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 朴起台;崔正达;鲁旭镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括在半导体衬底中限定的有源区，以及横跨有源区的栅电极。在栅电极的两侧上的有源区中限定源区/漏区。源区/漏区的至少一个是由栅电极的边缘场产生的场效应源区/漏区。另一个源区/漏区是具有与衬底不同的杂质场和不同的导电性的PN结源区/漏区。源区/漏区的至少一个是场效应源区/漏区。因此，可以在器件中减小或消除短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 场效应 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底中限定的有源区；在有源区之上横跨的栅电极，两个源区/漏区，限定在栅电极的两侧的有源区之内，其中两个源区/漏区的至少一个是由栅电极的边缘场所产生的场效应源区/漏区。
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