[发明专利]IC内置基板的制造方法无效

专利信息
申请号: 200610168721.9 申请日: 2006-12-19
公开(公告)号: CN1988120A 公开(公告)日: 2007-06-27
发明(设计)人: 长瀬健司;川畑贤一 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/48;H05K3/32;H05K3/46
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种IC内置基板的制造方法,该方法不会对嵌入到树脂层中的半导体IC芯片带来由热和加重(应力)所造成的损伤,还能应对衬垫电极数的增加和细间距化。首先,通过光刻和蚀刻来选择性地去除设于芯基板(11)的两面上的铜箔(12),从而在芯基板(11)上形成布线和焊盘这样的导电图形(13)。接着,通过将半导体IC芯片(14)面朝上安装于芯基板(11)上的规定区域后,将其嵌入树脂薄片(16)内。然后,通过用保形加工选择性地去除形成于树脂薄片(16)的表面上的铜箔(17),从而形成用于形成通孔的掩模图形。之后,通过以实施了保形加工的铜箔(17)为掩模的喷砂处理,形成通孔(19)。
搜索关键词: ic 内置 制造 方法
【主权项】:
1.一种IC内置基板的制造方法,其特征在于,该IC内置基板的制造方法具有:至少将具有衬垫电极的IC芯片嵌入到绝缘层中的第1工序;在上述绝缘层的表面上形成至少具有位于上述IC芯片的上述衬垫电极的正上方的第1开口和位于上述IC芯片的安装区域之外的区域上的第2开口的金属层的第2工序;以及以上述金属层作为掩模用喷砂处理来选择性地去除上述绝缘层,从而形成对应于上述第1开口的第1通孔和对应于上述第2开口的第2通孔的第3工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社,未经TDK株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610168721.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top