[发明专利]自对准浮置栅极阵列的形成方法及包括该阵列的闪存器件无效
| 申请号： | 200610169069.2 | 申请日： | 2006-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1988135A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 崔钟云 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种包括自对准浮置栅极阵列的闪存器件，以及一种用于闪存器件的自对准浮置栅极阵列的形成方法。该闪存器件包括：多个器件隔离层，通过硅衬底的氧化所形成；和浮置栅极阵列，在由多个器件隔离层所划分的有源器件区域中形成，在所述浮置栅极阵列中，浮置栅极的侧壁与多个器件隔离层自对准。因此，无论由工艺设计规则所限定的最小线宽如何，都能够最小化器件隔离区域的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 栅极 阵列 形成 方法 包括 闪存 器件 | ||
【主权项】：
1、一种形成浮置栅极阵列的方法，该方法包括以下步骤：(a)在硅衬底上的第一氧化物层上形成第一牺牲层图案；(b)在所述第一牺牲层图案的侧壁上形成多个第一间隔件；(c)选择性去除所述第一牺牲层图案；(d)形成由所述第一间隔件所划分的第二牺牲层图案；(e)去除所述第一间隔件，以暴露出所述第二牺牲层图案之间的衬底表面；(f)将暴露出的衬底表面蚀刻至预定深度，以在衬底中形成多个沟槽；(g)对暴露出的衬底表面进行氧化，以形成多个器件隔离层；(h)在所述第二牺牲层图案结构之间形成多个第二间隔件；(i)选择性去除所述第二牺牲层图案；和(j)形成由所述第二间隔件所划分的多个浮置栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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