[发明专利]半导体装置及其制造方法、显示装置、电子设备有效
| 申请号： | 200610169093.6 | 申请日： | 2006-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1988196A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 本田达也 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种具备发光特性良好的发光元件的半导体装置。本发明的技术要点如下：具备形成在绝缘膜中的第一凹部或开口部；第一电极，该第一电极在位于第一凹部或开口部周围的绝缘膜上、以及第一凹部或开口部内，并与第一凹部或开口部一起形成第二凹部；形成在第一电极上并与第二凹部一起形成第三凹部的第一导电型半导体层；形成在第一导电型半导体层上并与第三凹部一起形成第四凹部的发光层；形成在发光层上并与第四凹部一起形成第五凹部的第二导电型半导体层；以及，形成在构成第五凹部的底面及侧面的第二导电型半导体层上的第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 显示装置 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：形成在绝缘膜中的第一凹部或开口部；第一电极，该第一电极形成在位于所述第一凹部或开口部周围的所述绝缘膜上、所述第一凹部或开口部的底面及侧面，并具有位于所述第一凹部内或开口部内的第二凹部；第一导电型半导体层，该第一导电型半导体层形成在所述第一电极上，并具有位于所述第二凹部内的第三凹部；发光层，该发光层形成在所述第一导电型半导体层上，并具有位于所述第三凹部内的第四凹部；第二导电型半导体层，该第二导电型半导体层形成在所述发光层上，并具有位于所述第四凹部内的第五凹部；以及第二电极，该第二电极形成在具有所述第五凹部的底面及侧面的所述第二导电型半导体层上。
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