[发明专利]垂直滤色检测器组及其制造方法

摘要

一种垂直滤色检测器组及其制造方法，其通过减少形成将绿和红感光层与形成于硅衬底表面上的有源像素传感器电路连接的路径所用的离子注入和掩模数目来简化制造工艺。该垂直滤色检测器组包括：半导体，包括上面叠置有第一导电类型硅层和第二导电类型硅层的第一导电类型衬底并具有与半导体表面相距不同深度的至少两个第二导电类型硅层；沟槽，其底部低于第二导电类型硅层中距半导体表面最远的第一硅层，以设定用于单位像素的检测器组的外围边界区域；绝缘层，形成在沟槽中并与半导体和沟槽之间的分界面接触；沟道区，形成在第一硅层与第二导电类型硅层中的其它硅层之间的有源区中，并不与半导体和沟槽之间的分界面接触；以及转移栅，形成在绝缘层中。

主权项

1.一种垂直滤色检测器组，包括：半导体，其包括第一导电类型衬底，在该第一导电类型衬底上叠置有第一导电类型硅层和第二导电类型硅层，并且该半导体还具有与该半导体的表面相距不同深度的至少两个第二导电类型硅层；沟槽，其底部低于所述第二导电类型硅层中距该半导体表面最远的第一硅层，以设定用于单位像素的检测器组的外围边界区域；绝缘层，其形成在该沟槽中，并与该半导体和该沟槽之间的分界面接触；沟道区，其形成在所述第一硅层与所述第二导电类型硅层中的其它硅层之间的有源区中，并不与该半导体和该沟槽之间的分界面接触；以及转移栅，其形成在该绝缘层中。