[发明专利]排气装置及包含该排气装置的反应腔室有效
| 申请号： | 200610169563.9 | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101207001A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 赵梦欣 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/67;C23F4/00;H01J37/32;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种排气装置及包含该排气装置的反应腔室，排气装置一侧的排气孔的总导通面积大于另一侧的排气孔的总导通面积，由于排气装置两侧排气面积不同即气流的流导不同，可以通过减少靠近抽气腔室侧的排气装置的导通面积，提高反应腔室内的气体流动的均匀性，从而提高硅片刻蚀的均与性。主要适用于半导体硅片等离子刻蚀设备的反应腔室，也适用于其它类似的腔室。 | ||
| 搜索关键词： | 排气装置 包含 反应 | ||
【主权项】：
1.一种排气装置，为平面环状结构，其上开有多个上下相通的排气孔，其特征在于，所述的排气装置一侧的多个排气孔的总导通面积大于排气装置另一侧的多个排气孔的总导通面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
