[发明专利]TFT LCD的结构和制造方法有效
| 申请号： | 200610169586.X | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1987627A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 赵继刚 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/136;G02F1/1339;G02F1/1333;H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT LCD的结构，包括：一上基板及一下基板，液晶层封装于上基板与下基板之间，其中上基板包括一上绝缘衬底；一上光吸收层；一六边形的上反射电极层，上反射电极层之间通过连接线横向连接；下基板包括一下绝缘衬底；一栅线和数据线；相邻的栅线和数据线交叉定义一像素区域，每一像素区域包括一薄膜晶体管；一六边形树脂层，覆盖整个薄膜晶体管器件；一六边形下反射电极层，形成于树脂层之上，且通过树脂层上的一连接孔与薄膜晶体管的漏极相连；两相邻的像素电极之间通过下光吸收层隔开。本发明同时公开了该结构的制造方法及另一近似结构及其制造方法。本发明充分发挥液晶显示器的优势，使反射光的利用率接近于100％，而且能耗很低。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种TFT LCD的结构，包括：一上基板及一下基板，液晶层封装于上基板与下基板之间，其特征在于：所述上基板包括一上绝缘衬底；一上光吸收层，形成于上绝缘衬底之上；一六边形的上反射电极层，形成在上光吸收层上方，上反射电极层之间通过连接线横向连接；所述下基板包括一下绝缘衬底；一栅线和数据线，形成于下绝缘衬底上；相邻的栅线和数据线交叉定义一像素区域，每一像素区域包括一薄膜晶体管；一六边形树脂层，覆盖整个薄膜晶体管器件；一六边形下反射电极层，形成于树脂层之上，且通过树脂层上的一连接孔与薄膜晶体管的漏极相连；两相邻的像素电极之间通过下光吸收层隔开。
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