[发明专利]一种全差分BiCMOS比较器有效

专利信息
申请号: 200610169721.0 申请日: 2006-12-28
公开(公告)号: CN1996752A 公开(公告)日: 2007-07-11
发明(设计)人: 赵洁;张龙;孙权;王晓飞 申请(专利权)人: 北京时代民芯科技有限公司
主分类号: H03K5/22 分类号: H03K5/22;H03K5/24;H03M1/34
代理公司: 中国航天科技专利中心 代理人: 安丽
地址: 100076北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种全差分BiCMOS比较器包括:再生输入级、缓冲级电路、锁存电路和输出驱动电路,其中再生输入级包括:MOS开关、带采样电容的双极放大电路以及MOS可控尾电流三部分,锁存电路包括:电流开关锁存和源极跟随器;输入信号通过MOS开关进入带采样电容的双极放大电路,MOS开关在电路采样阶段打开,再生放大阶段关断,输入信号进入带采样电容的双极放大器后对输入信号进行放大,并通过MOS可控尾电流源控制尾电流与带采样电容的放大器的连接和断开,经过放大的信号通过缓冲级电路提高带负载能力后进入电流锁存电路中,电流锁存电路对信号进行再次的锁存放大,经过源极跟随器将信号输出到驱动电路,通过驱动电路转换为ECL电平输出。本发明具有低功耗、高速的特点。
搜索关键词: 一种 全差分 bicmos 比较
【主权项】:
1、一种全差分BiCMOS比较器,包括:再生输入级、缓冲级电路、锁存电路和输出驱动电路,其特征在于:所述的再生输入级包括:MOS开关、带采样电容的双极放大电路及MOS可控尾电流三部分;锁存电路包括:电流开关锁存电路和源极跟随器;输入信号通过MOS开关进入带采样电容的双极放大电路,MOS开关在电路采样阶段打开,再生放大阶段关断,输入信号进入带采样电容的双极放大器后对输入信号进行放大,并通过MOS可控尾电流源控制尾电流与带采样电容的放大器的连接和断开,经过放大的信号通过缓冲级电路提高带负载能力后进入电流锁存电路中,电流开关锁存电路对信号进行再次的锁存放大,经过源极跟随器将信号输出到驱动电路,通过驱动电路转换为ECL电平输出。
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