[发明专利]温度调控一维光子晶体产生动态光子晶体的方法无效
| 申请号： | 200610169886.8 | 申请日： | 2006-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1996100A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张晓玉;高洪涛;王长涛;邢廷文;姚汉民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02B6/122;C30B5/00;G02B1/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 贾玉忠;卢纪 |
| 地址： | 610209*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 温度调控一维光子晶体产生动态光子晶体的方法，以加热炉连接在多层膜结构一维光子晶体上，当加热炉温度改变时，一维光子晶体的温度也发生改变，温度的改变导致膜层材料折射率发生改变，一维光子晶体的光子禁带位置随之发生偏移，形成动态光子晶体。本发明采用温度调制多层膜结构的一维光子晶体产生动态光子晶体，并不涉及二、三维光子晶体结构的制作和液晶材料的填充实验，通过温度调制膜层材料的折射率变化从而使光子带隙发生偏移，并有多种膜层材料可应用于本发明，大大降低了实验难度且灵活易行。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 调控 光子 晶体 产生 动态 方法 | ||
【主权项】：
1、温度调控一维光子晶体产生动态光子晶体的方法，其特征在于：将加热炉连接在多层膜结构一维光子晶体上，当加热炉温度改变时，一维光子晶体的温度也发生改变，温度的改变导致膜层材料折射率发生改变，一维光子晶体的光子禁带位置随之发生偏移，形成动态光子晶体。
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