[发明专利]半导体电路装置及其设计方法无效
| 申请号： | 200610170051.4 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1983600A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 关户真策;山下恭司;大谷一弘;佐原康之;生驹大策 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种将距晶体管的阱端的距离考虑在内的半导体电路装置的设计方法。具有N阱(112)和P阱(113)的单元中，将从N阱(112)内的接触用N型区域(106)的中心线(121)到N阱端(101’)的距离SP04，设定成晶体管不受抗蚀剂影响的距离。从势阱边界(101)到接触用N型区域(106)的中心线(121)的距离等于SP04。P阱113上，也采取与N阱112相同的设计。由此，单元内的晶体管，可实现考虑来自一个方向的抗蚀剂的影响的建模。此外，通过作成满足上述条件的单元阵列，可以提高设计精度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电路 装置 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体电路装置，其特征在于：在单元阵列形成区域中，将多个具有第一导电型的金属绝缘体半导体晶体管和第二导电型的金属绝缘体半导体晶体管的单元配置成阵列状而成，所述单元阵列形成区域中，多个第一导电型的第1阱和第二导电型的第2阱，被交错配置在栅极宽度方向上，所述第1阱和第2阱之中，所述单元阵列形成区域中的配置在栅极宽度方向的最外侧的外侧阱的外侧端部、与形成在外侧阱内的活性区域的距离，被设定为规定值以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
