[发明专利]制造具有纳米结构的衬底的方法、发光器件及其制造方法有效
申请号: | 200610170063.7 | 申请日: | 2006-12-15 |
公开(公告)号: | CN1983657A | 公开(公告)日: | 2007-06-20 |
发明(设计)人: | 金钟旭;曹贤敬 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社;LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 钟强;谷惠敏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种制造具有纳米结构的衬底的方法、使用该结构的发光器件及其制造方法,其中用于生长发光器件的衬底形成有纳米结块,并且通过使用该结块作为掩模而蚀刻衬底,以允许在衬底上形成纳米结构,从而能够生长晶体缺陷减少、可靠性提高、质量好的发光结构,并且其中发光结构以纳米结构形成,以提高光提取效率。 | ||
搜索关键词: | 制造 具有 纳米 结构 衬底 方法 发光 器件 及其 | ||
【主权项】:
1.一种制造具有纳米结构的衬底的方法,包括:在所述衬底上形成保护膜;在所述保护膜上形成包括金属的薄膜层;对所述包括金属的薄膜层执行热处理;在所述保护膜上形成多个纳米结块;用所述多个纳米结块作掩模来蚀刻所述保护膜;除去所述多个纳米结块;用所述蚀刻的保护膜作掩模来蚀刻所述衬底的顶面,以在所述衬底上形成多个纳米结构;以及除去所述保护膜。
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