[发明专利]制造CMOS图像传感器的方法无效
| 申请号： | 200610170109.5 | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1992212A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 朴仁成 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/768;H01L27/146 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造CMOS图像传感器的方法，利用该方法能够减少微透镜与光电二极管之间的距离，并简化CMOS图像传感器的制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 cmos 图像传感器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造CMOS图像传感器的方法，该方法包括步骤：在半导体衬底上形成多个光电二极管和晶体管，在所述半导体衬底上限定了传感部分和外围驱动部分；在所述半导体衬底的整个表面上形成第一层间介电层；在所述第一层间介电层的所述传感部分和所述外围驱动部分上形成第一金属互连；在包括所述第一金属互连的所述半导体衬底的整个表面上形成第二层间介电层；在所述第二层间介电层的所述传感部分和所述外围驱动部分上形成第二金属互连；在包括所述第二金属互连的所述半导体衬底的整个表面上形成第三层间介电层；在所述第三层间介电层的所述外围驱动部分上形成第三金属互连；在包括所述第三金属互连的所述半导体衬底的整个表面上形成第四层间介电层；在所述第四层间介电层的所述外围驱动部分上形成第四金属互连，并在焊盘部分的所述第四层间介电层上形成焊盘；在包括所述第四金属互连的所述半导体衬底的整个表面上形成平面层；选择性地去除所述传感部分中的所述平面层和所述第四层间介电层并同时去除形成于所述焊盘的上部的所述平面层；以及在所述传感部分中的所述第三层间介电层上形成滤色层和微透镜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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