[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610170177.1 | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1992216A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 崔治弘 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/146 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种CMOS图像传感器及其制造方法。该方法包括以下步骤：在形成有光电二极管和晶体管的半导体衬底上形成钝化层；在钝化层上形成光致抗蚀剂图案，并且选择性地刻蚀所述光致抗蚀剂图案以在钝化层中形成沟槽；涂覆彩色光致抗蚀剂并使其高于沟槽；以及对彩色光致抗蚀剂进行热回流以形成滤色镜和微透镜。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器的制造方法，该方法包括以下步骤：在形成有光电二极管和晶体管的半导体衬底上形成钝化层；在所述钝化层上形成光致抗蚀剂图案，并且选择性地蚀刻所述光致抗蚀剂图案以在所述钝化层中形成沟槽；涂覆彩色光致抗蚀剂，并使所述彩色光致抗蚀剂的高度高于所述沟槽；以及对所述彩色光致抗蚀剂进行热回流以形成滤色镜和微透镜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
