[发明专利]图像传感器的制造方法无效
| 申请号： | 200610170179.0 | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1992217A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 郑星熙 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/146 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种图像传感器的制造方法。该方法包括以下步骤：在包括有源区和焊盘区的半导体衬底的该焊盘区上形成金属焊盘；通过在包括该金属焊盘的半导体衬底的整个表面上形成钝化层，并选择性去除该钝化层，形成金属焊盘开口以暴露该金属焊盘；通过利用终点检测方法进行灰化处理来去除用于形成滤色镜阵列的感光层，在该有源区的钝化层上形成该滤色镜阵列；以及在该滤色镜阵列上形成微透镜。本发明提供的图像传感器的制造方法能够防止金属焊盘污染，还能够防止多余光线入射到光电二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器的制造方法，包括以下步骤：在包括有源区和焊盘区的半导体衬底的该焊盘区上形成金属焊盘；通过在包括该金属焊盘的半导体衬底的整个表面上形成钝化层，并选择性去除该钝化层，形成金属焊盘开口以暴露该金属焊盘；通过利用终点检测方法进行灰化处理来去除用于形成滤色镜阵列的感光层，在该有源区的钝化层上形成该滤色镜阵列；以及在该滤色镜阵列上形成微透镜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
