[发明专利]CMOS图像传感器的制造方法无效
| 申请号： | 200610170180.3 | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1992205A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 金唇翰 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/146 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种CMOS图像传感器的制造方法。该方法包括以下步骤：在形成焊盘之后，涂布钝化氧化物和钝化氮化物；执行氢退火；选择性去除所述钝化氮化物和所述钝化氧化物并对所述钝化氮化物和所述钝化氧化物进行第一清洗；通过去除所述焊盘区域的所述钝化氮化物和所述钝化氧化物露出所述焊盘并对所述焊盘进行第二清洗；涂布焊盘保护薄膜；执行滤色镜阵列、平坦化和微透镜处理；以及去除所述焊盘区域的所述焊盘保护薄膜。根据本发明公开的CMOS图像传感器的制造方法可去除像素区域的圆形缺陷。因此，通过提高CMOS图像传感器的质量和减小对光的反射比而提高了CMOS图像传感器的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器的制造方法，该方法包括以下步骤：在形成焊盘之后，涂布钝化氧化物和钝化氮化物；执行氢退火；选择性去除所述钝化氮化物和所述钝化氧化物并对所述钝化氮化物和所述钝化氧化物进行第一清洗；通过去除所述焊盘区域的所述钝化氮化物和所述钝化氧化物露出所述焊盘并将所述焊盘进行第二清洗；涂布焊盘保护薄膜；执行滤色镜阵列、平坦化和微透镜处理；以及去除所述焊盘区域的所述焊盘保护薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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