[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610170181.8 | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1992342A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 沈揆光;金钟玟 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，其具有垂直沟槽栅极结构以提高集成度。该半导体器件包括：第二导电类型外延层，形成在第一导电类型衬底上，在该第一导电类型衬底上限定有源区和隔离区；沟槽，形成在该隔离区中；第一导电类型第一区，形成在该沟槽两侧的外延层中；隔离层，以预定深度形成在该沟槽中；栅极绝缘层，其沿着该沟槽两侧部分的上部而形成；栅极，形成在该沟槽的上部；主体区，形成在该有源区中；源极，形成在该主体区上；源极区，形成在该栅极两侧的主体区的上部；以及漏极，形成在该衬底的后表面上。因此，本发明的半导体器件及其制造方法能够在减小导通电阻的同时简化制造工艺并高度集成器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一导电类型衬底；第二导电类型外延层，形成在所述第一导电类型衬底上，并形成有沟槽；PN结，沿着所述沟槽的内壁垂直形成在所述第一导电类型衬底上；绝缘层，覆盖所述沟槽的内部和外壁；栅极，形成在所述绝缘层上；主体区，形成在所述栅极的两侧；源极，形成在所述主体区的上部；以及漏极，形成在所述第一导电类型衬底的后表面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部电子股份有限公司，未经东部电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610170181.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
