[发明专利]CMOS图像传感器的制造方法无效
| 申请号： | 200610170185.6 | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1992219A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 沈喜成 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/146 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种CMOS图像传感器的制造方法。该方法包括：在其上形成有多个光电二极管的半导体衬底上形成层间介电层；在该层间介电层上以固定间隔形成多个滤色层；在包括所述滤色层的半导体衬底的整个表面上形成平坦化层；在该平坦化层上形成彼此间隔的多个牺牲抗蚀剂图案；在所述牺牲抗蚀剂图案的侧壁上形成间隔件；去除所述牺牲抗蚀剂图案；在仅保留所述间隔件的平坦化层上形成抗蚀剂层；去除所述间隔件；以及在预定温度使该抗蚀剂层回流，以形成微透镜。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器的制造方法，包括：第一步：在其上形成有多个光电二极管的半导体衬底上形成层间介电层；第二步：在该层间介电层上以固定间隔形成多个滤色层；第三步：在包括所述滤色层的半导体衬底的整个表面上形成平坦化层；第四步：在该平坦化层上形成彼此间隔的多个牺牲抗蚀剂图案；第五步：在所述牺牲抗蚀剂图案的侧壁上形成间隔件；第六步：去除所述牺牲抗蚀剂图案；第七步：在仅保留所述间隔件的平坦化层上形成抗蚀剂层；第八步：去除所述间隔件；以及第九步：在预定温度使该抗蚀剂层回流，以形成微透镜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
