[发明专利]静态随机存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610170188.X | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1992281A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 朴盛羲 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种静态随机存储器(SRAM)，其包括：由金属氧化物半导体(MOS)晶体管构成的第一存取晶体管和第二存取晶体管；由金属氧化物半导体(MOS)晶体管构成的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管；以及用作上拉器件使用的第一p－沟道薄膜晶体管(TFT)和第二p－沟道薄膜晶体管。该SRAM包括：地电位层，其设置作为该第一驱动晶体管和该第二驱动晶体管的共用源极，并且通过将掺杂剂注入半导体衬底而形成；电源电位层，其与第一p－沟道TFT和第二p－沟道TFT的源极连接；以及绝缘层，其形成在该衬底上并置于该地电位层和该电源电位层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存储器，其包括：由金属氧化物半导体晶体管构成的第一存取晶体管和第二存取晶体管；由金属氧化物半导体晶体管构成的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管；以及用作上拉器件的第一p-沟道薄膜晶体管和第二p-沟道薄膜晶体管，所述的静态随机存储器还包括：地电位层，其设置作为该第一驱动晶体管和该第二驱动晶体管的共用源极，并且通过将掺杂剂注入半导体衬底而形成；电源电位层，与第一p-沟道薄膜晶体管和第二p-沟道薄膜晶体管的源极连接；以及绝缘层，形成在该衬底上，并夹持于该地电位层和该电源电位层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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