[发明专利]CMOS图像传感器的制造方法无效
| 申请号： | 200610170192.6 | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1992220A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 金载熙 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种CMOS图像传感器的制造方法。该方法包括以下步骤：制备被划分为像素阵列单元和逻辑电路单元的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成下层互连；在包括所述下层互连的半导体衬底的整个表面上形成层间介电层；通过选择性去除所述逻辑电路单元的层间介电层而形成第一通孔；通过将金属掩埋到所述第一通孔中而形成上层互连，然后对掩埋在所述第一通孔中的金属表面进行平坦化；在包括所述上层互连的半导体衬底的整个表面上形成保护层；和通过选择性去除在所述上层互连上形成的保护层而形成第二通孔。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器的制造方法，该方法包括以下步骤：制备被划分为像素阵列单元和逻辑电路单元的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成下层互连；在包括所述下层互连的半导体衬底的整个表面上形成层间介电层；通过选择性去除所述逻辑电路单元的层间介电层而形成第一通孔；通过将金属掩埋到所述第一通孔中而形成上层互连，然后对掩埋在所述第一通孔中的金属表面进行平坦化；在包括所述上层互连的半导体衬底的整个表面上形成保护层；和通过选择性去除在所述上层互连上形成的保护层而形成第二通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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