[发明专利]窄宽度金属氧化物半导体晶体管无效
| 申请号： | 200610170193.0 | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1992343A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 安正豪 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于增强PMOS和NMOS晶体管性能、尤其是电流驱动性能，同时减小窄宽度效应的半导体晶体管。窄宽度MOS晶体管包括：沟道，其宽度为W0且长度为L0；有源区，包括以沟道为中心在两侧形成的源极区和漏极区；栅极绝缘层，其形成在沟道上；栅极导体，其形成在栅极绝缘层上，并且与有源区交叉；第一附加有源区，其宽度大于沟道的宽度W0，作为添加到源极区的有源区；以及第二附加有源区，其宽度大于沟道的宽度W0，作为添加到漏极区的有源区。当具有附加有源区的晶体管结构被应用到NMOS和PMOS晶体管时，驱动电流被分别表示为107.27％和103.31％。因此，PMOS和NMOS晶体管的驱动电流增强。 | ||
| 搜索关键词： | 宽度 金属 氧化物 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种由金属氧化物半导体制成的MOS晶体管，所述MOS晶体管包括：沟道，其宽度为W0且长度为L0；有源区，包括以沟道为中心在两侧形成的源极区和漏极区；栅极绝缘层，其形成在沟道上；栅极导体，其形成在栅极绝缘层上，并且与有源区交叉；第一附加有源区，其宽度大于沟道的宽度W0，作为添加到源极区的有源区；以及第二附加有源区，其宽度大于沟道的宽度W0，作为添加到漏极区的有源区。
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