[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610170198.3 | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1992315A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 任劲赫 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/822 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器包括：光电二极管区，其形成在半导体衬底的有源区中；晶体管，其形成在该衬底的有源区的晶体管区上；低浓度扩散区，其形成在该光电二极管区上，并与该衬底的器件隔离区相间隔；高浓度扩散区，其形成在该低浓度扩散区上；以及浮置扩散区，其形成在该晶体管的漏极区中。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器，包括：半导体衬底，其具有用于像素单元的有源区和器件隔离区；光电二极管区，其形成在该有源区中；晶体管，其形成在该有源区中并与该光电二极管区相邻；低浓度扩散区，其形成在该光电二极管区上，并与该器件隔离区相间隔；高浓度扩散区，其形成在该低浓度扩散区上；以及浮置扩散区，其形成在该晶体管的漏极区中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
