[发明专利]半导体器件的晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200610170200.7 | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1992344A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 朴正浩 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件的晶体管及其制造方法，该方法包括：在半导体衬底上通过第一离子注入工艺形成第一源极/漏极区；在半导体衬底上沉积第一牺牲层并干蚀刻一部分以露出源极/漏极区；形成填充孔的沟道区；在第一源极/漏极区和沟道区上形成第二牺牲层；在沟道区上形成第二牺牲层处进行第二离子注入工艺；使用湿蚀刻方法除去第二牺牲层；依次形成第一源极/漏极区、沟道区上的栅极绝缘层及栅极导电层；干蚀刻栅极导电层以形成围绕沟道区上部和一个侧面的栅极导体；在半导体衬底上注入离子以在沟道区上形成第二源极/漏极区；在半导体衬底上形成中间绝缘层；蚀刻中间绝缘层以形成露出第一和第二源极/漏极区及栅极导体一部分的接触孔；形成第二导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的晶体管，包括：源极区，其通过在半导体衬底的上侧注入杂质离子而形成；沟道区，其位于该源极区上并形成为圆柱形；漏极区，其形成于该沟道区上；栅极绝缘层，其围绕形成于该半导体衬底的上侧的源极区、该沟道区的侧面以及形成于该沟道区的上侧的该漏极区；栅极导体，其形成为围绕该沟道区的上部和一个侧面；以及导电层，其连接到该源极区、该漏极区和该栅极导体，并通过填充形成于中间绝缘膜上的接触孔而形成。
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