[发明专利]自激振荡型氮化物半导体激光装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610171146.8 | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101030694A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 田村聪之;池户教夫 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/065;H01S5/323;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自激振荡型氮化物半导体激光装置。在包括由n型包层11和p型包层13夹着的活性层12和具有使流向活性层12的电流狭窄的开口部的电流狭窄层14的埋入结构中，在电流狭窄层14上形成有由添加了p型杂质的氮化物半导体形成的再成长层15来将电流狭窄层14的开口部覆盖好。埋设在开口部的再成长层15中与开口部侧面相邻且具有一定宽度W的区域成为n型化区域15a。这样一来，通过使实际效果是电流狭窄层14的开口部变窄来得到自激振荡型氮化物半导体激光装置10。 | ||
| 搜索关键词： | 振荡 氮化物 半导体 激光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自激振荡型氮化物半导体激光装置，包括：由包层夹着的活性层和拥有用以使流向该活性层的电流狭窄化的开口部的电流狭窄层，其特征在于：在所述电流狭窄层上形成有由添加了p型杂质的氮化物半导体形成的再成长层，来将所述电流狭窄层的开口部覆盖好，埋设在所述电流狭窄层的开口部的所述再成长层中与所述开口部侧面相邻且具有一定宽度的区域，成为n型化区域。
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