[发明专利]不对称半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610171225.9 | 申请日： | 2006-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1992276A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张讚三;前田茂伸;吴昌奉;申宪宗 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种不对称半导体装置及其制造方法，使用数目减少的工艺步骤在公共衬底上形成高电压和低电压晶体管，该方法包括：在由延伸到衬底中第一深度的隔离结构所分开的衬底上形成至少第一高电压晶体管阱和第一低电压晶体管阱，使用第一掩模和第一注入工艺同时在低电压晶体管阱的沟道区和高电压晶体管阱的漏区中注入第一导电类型的掺杂材料。 | ||
| 搜索关键词： | 不对称 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，包括：高电压不对称N型金属-氧化物-半导体和P型金属-氧化物-半导体装置以及低电压N型金属-氧化物-半导体和P型金属-氧化物-半导体装置，其设置在衬底上并被在衬底中设置到第一深度的多个隔离结构分开；其中所述高电压N型金属-氧化物-半导体装置的漏区和所述低电压P型金属-氧化物-半导体的沟道区的特征在于第二深度的第一掺杂剂注入，且所述高电压P型金属-氧化物-半导体装置的漏区和所述低电压N型金属-氧化物-半导体装置的沟道区的特征在于第三深度的第二掺杂剂注入，且其中所述第二和第三深度小于所述第一深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
