[发明专利]集成电路结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200610171243.7 | 申请日： | 2006-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101047147A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 蔡豪益;侯上勇;吴念芳;蔡佳伦;郑心圃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/768;H01L27/02;H01L23/525 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭晓东 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包括熔丝的集成电路结构及其制造方法。所述集成电路结构包含基板、置于该基板上方的内联机结构、与该内联机结构连接的熔丝以及位于该熔丝上的抗反射涂层。该抗反射涂层具有增厚的厚度且作为残余氧化物，且在该抗反射涂层上不存在多余的残余保护层。本发明使用抗反射涂层作为多余的保护层，可以节省位于激光熔丝上方的保护层的形成与薄化的工艺步骤与成本，而且控制抗反射涂层的厚度比薄化位于激光熔丝上方的保护层容易，因此提高了激光修补产品合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成集成电路结构的方法，该方法包括步骤：提供基板；在该基板上方形成内联机结构；在该内联机结构的顶部金属化层上方形成金属层以形成电连接；在该金属层上方形成抗反射涂层；图案化该抗反射涂层以及该金属层，以形成熔丝；全面性地形成介电层；以及从至少部分的抗反射涂层上方大体上移除该介电层，以露出该抗反射涂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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