[发明专利]非易失性存储器以及非易失性存储器的制造方法无效
| 申请号： | 200610171250.7 | 申请日： | 2006-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1988161A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 朴盛羲 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种非易失性存储器以及非易失性存储器的制造方法，其中非易失性存储器包括具有多个沟槽的半导体衬底。隐埋扩散区可以形成在沟槽一侧的衬底中。栅极绝缘层可以形成在该衬底的表面上。浮置栅极可以形成在沟槽之间的栅极绝缘层上。绝缘层可以形成在该栅极绝缘层和该浮置栅极上。控制栅极可以形成在该绝缘层上。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种装置，包括：半导体衬底；沟槽，其形成在该半导体衬底中；以及隐埋扩散区，其形成在该沟槽一侧的半导体衬底中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
