[发明专利]用于制造CMOS图像传感器的方法无效
| 申请号： | 200610171251.1 | 申请日： | 2006-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1992222A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 沈喜成 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/146 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于制造CMOS图像传感器的方法，其可通过使除了电子－空穴对以外的、由光电二极管上部存在的晶体缺陷导致的CMOS图像传感器中电子－空穴对的形成最小化，从而提高低照度特性。该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成光电二极管和转移晶体管的多层栅，光电二极管和转移晶体管构成CMOS图像传感器；在光电二极管和转移晶体管的多层栅的上部的整个表面上沉积间隔材料；以及在沉积有间隔材料的光电二极管的上部表面中注入p型杂质离子。该方法通过干蚀刻工艺在CMOS图像传感器的转移晶体管中的多层栅的侧壁形成间隔件，从而防止光电二极管的表面产生离子损失，这可以提高图像传感器的低照度特性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 cmos 图像传感器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成光电二极管和转移晶体管的多层栅，该光电二极管和该转移晶体管构成该CMOS图像传感器；在该光电二极管的上部和该转移晶体管的多层栅的上部的整个表面上沉积间隔材料；以及在沉积有该间隔材料的光电二极管的上部表面中注入p型杂质离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
