[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

本发明提供一种互补型金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括半导体衬底、蓝色光电二极管区、红色光电二极管区、绿色光电二极管区、覆盖层及多个微透镜。半导体衬底限定为第一光电二极管区、第二光电二极管区和晶体管区。蓝色光电二极管区形成在第一光电二极管区的预定深度处。红色光电二极管区形成在第一光电二极管区的比蓝色光电二极管区所处深度更深的深度处，并与蓝色光电二极管区隔开预定间隔。绿色光电二极管区形成在第二光电二极管区的介于蓝色光电二极管区所处深度和红色光电二极管区所处深度之间的深度处；覆盖层形成在半导体衬底的整个表面上。多个微透镜形成在覆盖层上以对应第一光电二极管区和第二光电二极管区。

主权项

1.一种互补型金属氧化物半导体图像传感器，包括：半导体衬底，其限定为第一光电二极管区、第二光电二极管区以及晶体管区；蓝色光电二极管区，其形成在所述第一光电二极管区的预定深度处；红色光电二极管区，其形成在所述第一光电二极管区的、比所述蓝色光电二极管区所处的深度更深的深度处，所述红色光电二极管区与所述蓝色光电二极管区以预定间隔隔开；绿色光电二极管区，其形成在所述第二光电二极管区的介于所述蓝色光电二极管区所处的深度和所述红色光电二极管区所处的深度之间的深度处；覆盖层，其形成在所述半导体衬底的整个表面上；以及多个微透镜，其形成在所述覆盖层上以对应于所述第一光电二极管区和所述第二光电二极管区。