[发明专利]制造CMOS图像传感器的方法无效

专利信息
申请号: 200610171259.8 申请日: 2006-12-25
公开(公告)号: CN1992225A 公开(公告)日: 2007-07-04
发明(设计)人: 林费吴 申请(专利权)人: 东部电子股份有限公司
主分类号: H01L21/822 分类号: H01L21/822;H01L27/146
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 郑小军
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种制造CMOS图像传感器的方法,其中在焊盘电极上还形成抗反射涂层,因而可避免焊盘电极被接续的光蚀刻处理的显影剂腐蚀,并且焊盘电极与外部驱动电路无缺陷地彼此连接。该方法包括步骤:设置分成像素阵列单元和逻辑电路单元的半导体衬底,在半导体衬底上形成互连,在包括所述互连的整个表面上形成层间绝缘层,将金属材料和抗反射涂层沉积在层间绝缘层上,并且将所述沉积的金属材料和抗反射涂层图案化以形成焊盘电极,在包括该焊盘电极的整个表面上形成保护层,选择性除去焊盘电极上的保护层形成通孔,在保护层上形成滤色层,形成覆盖滤色层的平坦化层,在平坦化层上形成与滤色层对应的多个微透镜,以及除去通过通孔露出的焊盘电极上的抗反射涂层。
搜索关键词: 制造 cmos 图像传感器 方法
【主权项】:
1.一种制造CMOS图像传感器的方法,该方法包括以下步骤:设置分成像素阵列单元和逻辑电路单元的半导体衬底;在该半导体衬底上形成多个互连;在包括所述互连的整个表面上形成层间绝缘层;将金属材料和抗反射涂层沉积在该层间绝缘层上,并将所述沉积的金属材料和抗反射涂层图案化以形成焊盘电极;在所述包括该焊盘电极的整个表面上形成保护层;选择性地除去该焊盘电极上的保护层以形成通孔;在该保护层上形成滤色层;形成覆盖该滤色层的平坦化层;在该平坦化层上形成与该滤色层相对应的多个微透镜;以及除去通过该通孔暴露的该焊盘电极上的抗反射涂层。
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