[发明专利]制造CMOS图像传感器的方法无效
申请号: | 200610171259.8 | 申请日: | 2006-12-25 |
公开(公告)号: | CN1992225A | 公开(公告)日: | 2007-07-04 |
发明(设计)人: | 林费吴 | 申请(专利权)人: | 东部电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L27/146 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑小军 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种制造CMOS图像传感器的方法,其中在焊盘电极上还形成抗反射涂层,因而可避免焊盘电极被接续的光蚀刻处理的显影剂腐蚀,并且焊盘电极与外部驱动电路无缺陷地彼此连接。该方法包括步骤:设置分成像素阵列单元和逻辑电路单元的半导体衬底,在半导体衬底上形成互连,在包括所述互连的整个表面上形成层间绝缘层,将金属材料和抗反射涂层沉积在层间绝缘层上,并且将所述沉积的金属材料和抗反射涂层图案化以形成焊盘电极,在包括该焊盘电极的整个表面上形成保护层,选择性除去焊盘电极上的保护层形成通孔,在保护层上形成滤色层,形成覆盖滤色层的平坦化层,在平坦化层上形成与滤色层对应的多个微透镜,以及除去通过通孔露出的焊盘电极上的抗反射涂层。 | ||
搜索关键词: | 制造 cmos 图像传感器 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造CMOS图像传感器的方法,该方法包括以下步骤:设置分成像素阵列单元和逻辑电路单元的半导体衬底;在该半导体衬底上形成多个互连;在包括所述互连的整个表面上形成层间绝缘层;将金属材料和抗反射涂层沉积在该层间绝缘层上,并将所述沉积的金属材料和抗反射涂层图案化以形成焊盘电极;在所述包括该焊盘电极的整个表面上形成保护层;选择性地除去该焊盘电极上的保护层以形成通孔;在该保护层上形成滤色层;形成覆盖该滤色层的平坦化层;在该平坦化层上形成与该滤色层相对应的多个微透镜;以及除去通过该通孔暴露的该焊盘电极上的抗反射涂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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