[发明专利]包括双隧道氧化物层的闪存单元及其制造方法无效
| 申请号： | 200610171261.5 | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1992345A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 郭哲尚 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种包括双隧道氧化物层的闪存单元及其制造方法。该闪存单元包括：隧道氧化物层，其包括在半导体衬底上具有第一厚度的第一隧道和具有第二厚度的第二隧道；电荷存储层，形成在隧道氧化物层上；绝缘层，形成在电荷存储层上；以及控制栅极，形成在绝缘层上，并供以驱动电源。第一隧道的第一厚度比第二隧道的第二厚度薄。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 隧道 氧化物 闪存 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种闪存单元，包括：隧道氧化物层，其包括在半导体衬底上具有第一厚度的第一隧道和具有第二厚度的第二隧道；电荷存储层，形成在所述隧道氧化物层上；绝缘层，形成在所述电荷存储层上；以及控制栅极，形成在所述绝缘层上，并以驱动电源对其供电。
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