[发明专利]非易失性存储器件的制造方法无效
| 申请号： | 200610171264.9 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101097893A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 金占寿;张熙显 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器件的制造方法，该方法包括：在半导体衬底之上设置浮置栅层。蚀刻浮置栅层和半导体衬底以形成沟槽。在沟槽中形成隔离结构。蚀刻隔离结构的上部，其中通过蚀刻隔离结构的上部暴露浮置栅层的上部侧壁。在浮置栅层上形成氧化物层以倒圆浮置栅层的上角。在浮置栅层之上形成控制栅层。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件的制造方法，所述方法包括：在半导体衬底之上设置浮置栅层；蚀刻所述浮置栅层和所述半导体衬底以形成沟槽；在所述沟槽中形成隔离结构；蚀刻所述隔离结构的上部，其中通过蚀刻所述隔离结构的上部暴露所述浮置栅层的上部侧壁；在所述浮置栅层上形成氧化物层以倒圆所述浮置栅层的上角；以及在所述浮置栅层之上形成控制栅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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