[发明专利]用于调整由半导体材料制成的基材表面或内部应变的方法有效
| 申请号： | 200610171452.1 | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101005033A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 伊夫－马蒂厄·拉瓦伊兰特 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰 |
| 地址： | 法国克*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于调整由半导体材料制成的基材表面或内部应变的方法。所述方法步骤包括识别应变层的其中将对应变进行调整的一个或多个区域；将元素植入应变层中由此识别的至少一个区域中；以及将具有应变层的基材退火至一定温度并保持一段足够长的时间以修复由于在植入区域进行植入导致的晶体缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 调整 半导体材料 制成 基材 表面 内部 应变 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于调整基材上的应变层中的应变的方法，所述方法包括：识别所述应变层的其中将对应变进行调整的一个或多个区域；将元素植入所述应变层中至少一个已识别的区域中，所用量足以修复或减少经历升温时的缺陷；以及通过加热至一定温度并保持足以减少或修复包含植入元素的所述应变层的所述一个或多个区域中的晶体缺陷的一段时间以使所述基材和所述应变层退火。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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